单 FET，MOSFET

结果 : 4
系列
MDmesh™ IISTripFET™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V600 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）650mA（Ta），2.2A（Tc）2.5A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 45A，10V1.8 欧姆 @ 1A，10V6 欧姆 @ 1.25A，10V15 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V47 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
94 pF @ 25 V188 pF @ 50 V601 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），22W（Tc）3W（Tc）90W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPowerFlat™（3.3x3.3）TO-220TO-92-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,924
现货
1 : ¥19.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.77628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
2.5A（Tc）
10V
6 欧姆 @ 1.25A，10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-92-3
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
STMicroelectronics
11,318
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.76121
带盒（TB）
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
300mA（Tc）
10V
15 欧姆 @ 400mA，10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
8PowerVDFN
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,589
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.94709
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
650mA（Ta），2.2A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±25V
188 pF @ 50 V
-
2W（Ta），22W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
TO-220-3
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
STMicroelectronics
974
现货
1 : ¥14.61000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
5V，10V
6.5 毫欧 @ 45A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 5 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。