单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.9A（Ta），38.8A（Tc）16A（Ta），100A（Tc）50A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 50A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V12.8 毫欧 @ 9A，10V15 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 73µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43.4 nC @ 10 V56 nC @ 10 V165 nC @ 10 V270 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 15 V3900 pF @ 40 V4950 pF @ 25 V10850 pF @ 40 V11400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），32W（Tc）2.5W（Ta），113W（Tc）2.5W（Ta），114W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
MLPAK33PG-TDSON-8-5TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-5
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,325
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.83494
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
16A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
5.7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 73µA
56 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-252
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,550
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48396
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,892
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
45,980
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15521
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-Power VDFN
PXP012-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
5,231
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68035
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.9A（Ta），38.8A（Tc）
4.5V，10V
12.8 毫欧 @ 9A，10V
2V @ 250µA
43.4 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。