单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）1.4A（Ta）95A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 50A，10V5.2 毫欧 @ 47.5A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 49µA3.8V @ 72µA3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V40 nC @ 10 V58 nC @ 10 V76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V401 pF @ 25 V2900 pF @ 40 V4200 pF @ 40 V5600 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.3W（Ta）2.5W（Ta），114W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,843
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
106,809
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12975
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
18,680
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.97509
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC037N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
11,954
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.70743
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3.7 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 72µA
58 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
12,380
现货
1 : ¥18.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.00055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
95A（Tc）
6V，10V
5.2 毫欧 @ 47.5A，10V
3.8V @ 49µA
40 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。