单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）31A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 16A，10V78 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V1750 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICIPAK（TO-251AA）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPAK (TO-251)
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Infineon Technologies
13,685
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Infineon Technologies
3,866
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.01751
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Ta）
10V
78 毫欧 @ 2.2A，10V
5V @ 100µA
44 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。