单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）9A（Ta），43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 9A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V1290 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）2.3W（Ta），54W（Tc）
供应商器件封装
Power33SOT-323
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC86160
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
onsemi
3,830
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.85789
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Ta），43A（Tc）
6V，10V
14 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
635,805
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。