单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.Nexperia USA Inc.
系列
-Ultra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.05A（Ta）220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 110A，10V200 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
570mV @ 1mA（典型值）4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 4.5 V157 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
152 pF @ 16 V12300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
417mW（Ta）800W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-268HV（IXTT）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424,707
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.05A（Ta）
1.8V，4.5V
200 毫欧 @ 600mA，4.5V
570mV @ 1mA（典型值）
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IXTH220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Littelfuse Inc.
117
现货
600
工厂
1 : ¥152.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
5.5 毫欧 @ 110A，10V
4.5V @ 250µA
157 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
800W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。