25A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 251
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.
系列
-aMOS™CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™PFD7DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIIEEFFDmesh™ IIHEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V48 V50 V55 V60 V65 V75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,8V4V,10V4V,5V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V12V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 12.5A,10V4.3 毫欧 @ 10A,10V5.5 毫欧 @ 10A,10V6.4 毫欧 @ 10A,10V7 毫欧 @ 20A,10V7.75 毫欧 @ 15A,10V8.2 毫欧 @ 6A,4.5V8.32 毫欧 @ 14A,4.5V9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V9.5 毫欧 @ 9A,10V9.6 毫欧 @ 10A,4.5V9.8 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 16µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 31µA2.1V @ 1mA2.2V @ 1mA2.2V @ 20µA2.2V @ 250µA2.2V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.1 nC @ 4.5 V5 nC @ 5 V5 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 30 V9.3 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V10.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-20V±10V±15V+16V,-10V±16V±18V+20V,-10V+20V,-16V±20V+23V,-10V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
345 pF @ 25 V406 pF @ 30 V410 pF @ 25 V492 pF @ 25 V500 pF @ 15 V500 pF @ 25 V509 pF @ 25 V510 pF @ 25 V544 pF @ 50 V572 pF @ 15 V584 pF @ 25 V598 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)1.7W(Ta),20W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),60W(Tc)2.1W(Ta),30W(Tc)2.1W(Ta),33.3W(Tc)2.1W(Ta),50W(Tc)2.3W(Ta),107W(Tc)2.5W(Ta),21W(Tc)2.5W(Ta),33W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3W(Ta),33W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-WSON(2x2)8-DFN(4.9x5.75)8-HSMT(3.2x3)8-PDFN(3.1x3.08)8-PDFN(3.1x3.1)8-PDFN(3x3)8-PDFN(SPR-PAK )(3.3x3.3)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(5.1x5.71)8-QFN(3x3)
封装/外壳
3-PowerDFN4-PowerTSFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘-
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
251结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 251
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19,543
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.59950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
+20V,-16V
2070 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10T4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
3,530
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.24272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
10V
38 毫欧 @ 12.5A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10LT4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
6,133
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.79915
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 12.5A,10V
2.5V @ 250µA
52 nC @ 5 V
±16V
1710 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Vishay Siliconix
6,184
现货
1 : ¥19.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.95271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Tc)
6V,10V
52 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Infineon Technologies
4,669
现货
1 : ¥22.33000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.52804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Infineon Technologies
7,305
现货
1 : ¥22.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.19339
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Infineon Technologies
7,393
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Infineon Technologies
7,636
现货
1 : ¥27.42000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.78882
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
3,694
现货
1 : ¥31.44000
剪切带(CT)
800 : ¥18.99841
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
25A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 12.5A,10V
4V @ 250µA
26.4 nC @ 10 V
±30V
1278 pF @ 100 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK-3L
UF3C065080B3
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Qorvo
14,052
现货
1 : ¥43.18000
剪切带(CT)
800 : ¥31.91561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
650 V
25A(Tc)
-
-
-
-
±25V
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerDI3333-8
DMN3025LFV-13
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Diodes Incorporated
9,049
现货
42,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98088
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 7A,10V
2V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
6-WSON
CSD17318Q2
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
10,611
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Tc)
2.5V,8V
15.1 毫欧 @ 8A,8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y29-40E,115
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,228
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.29239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
25A(Tc)
5V
25 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±10V
664 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK33
BUK9M20-40HX
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
8,093
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.31637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
25A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 1mA
12.6 nC @ 10 V
+16V,-10V
763 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPAK 1212-8
SIS407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
49,406
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.97605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
25A(Tc)
1.8V,4.5V
9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V
1V @ 250µA
93.8 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 10 V
-
3.6W(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252AA
FDD86381-F085
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
onsemi
15,545
现货
32,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.51790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
25A(Tc)
10V
21 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
866 pF @ 40 V
-
48.4W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMP061-60YEX
PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,586
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.15131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Tc)
4.5V,10V
61毫欧 @ 4,7A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1060 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Infineon Technologies
14,454
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.53813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 8µA
16.3 nC @ 10 V
±16V
1220 pF @ 25 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
6,911
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.03164
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 50 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-HSMT
RQ3L070ATTB
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
5,662
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.82165
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Tc)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
48 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-SOIC
SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Vishay Siliconix
2,920
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.37854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
25A(Tc)
1.8V,4.5V
8.32 毫欧 @ 14A,4.5V
900mV @ 250µA
151 nC @ 4.5 V
±8V
11000 pF @ 6 V
-
7.1W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10LA
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
5,717
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46454
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 12.5A,10V
2.5V @ 250µA
52 nC @ 5 V
±16V
1710 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26NF10
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
4,279
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.48267
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
10V
38 毫欧 @ 12.5A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,364
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.04648
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
4V,10V
63 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
3,277
现货
1 : ¥21.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
25A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 7.8A,10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
/ 251

25A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。