250A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Renesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, PolarMegaMOS™OptiMOS™TrenchFET®TrenchMV™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V75 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.85 毫欧 @ 125A,10V1 毫欧 @ 40A,10V1.24 毫欧 @ 25A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 30A,10V4 毫欧 @ 50A,10V5 毫欧 @ 90A,10V6.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 2mA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 80µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V100 nC @ 10 V147 nC @ 10 V200 nC @ 10 V205 nC @ 10 V245 nC @ 10 V368 nC @ 10 V430 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4616 pF @ 15 V7900 pF @ 25 V9871 pF @ 50 V9900 pF @ 25 V12700 pF @ 25 V15000 pF @ 25 V16000 pF @ 25 V19350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),348W(Tc)6W(Ta),250W(Tc)188W(Tc)194W(Tc)300W(Tc)550W(Tc)730W(Tc)1250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8PG-HSOF-8-1PLUS247™-3POWERDI1012-8TO-247(IXTH)TO-263-7TO-264(IXTK)TO-264AA(IXFK)TO-3P
封装/外壳
8-PowerSFNSC-100,SOT-669TO-247-3TO-247-3 变式TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-264-3,TO-264AATO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,447
现货
1 : ¥44.25000
剪切带(CT)
800 : ¥26.69325
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
250A(Tc)
10V
0.85 毫欧 @ 125A,10V
4V @ 250µA
368 nC @ 10 V
±20V
19350 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta),348W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
8-PowerSFN
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
1,463
现货
33,000
工厂
1 : ¥30.62000
剪切带(CT)
1,500 : ¥20.36546
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±20V
9871 pF @ 50 V
-
6W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
8-PowerSFN
DMTH10H1M7STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
1,422
现货
1 : ¥41.62000
剪切带(CT)
1,500 : ¥21.52693
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±20V
9871 pF @ 50 V
-
6W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
2,000
现货
1 : ¥27.01000
剪切带(CT)
2,000 : ¥12.62668
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
250A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 80µA
100 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 25 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-264
IXFK250N10P
MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Littelfuse Inc.
26
现货
1 : ¥193.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 50A,10V
5V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R2-30YLD/2X
PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1,500 : ¥5.65404
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
250A(Tc)
4.5V,10V
1.24 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 2mA
68 nC @ 10 V
±20V
4616 pF @ 15 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-263-7
SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥24.38000
剪切带(CT)
800 : ¥13.65568
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
250A(Tc)
10V
1 毫欧 @ 40A,10V
3.5V @ 250µA
245 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-247 Plus X
IXFX250N10P
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥139.13787
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 50A,10V
5V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO247
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
250A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 25 V
-
550W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-264
IXTK250N10
MOSFET N-CH 100V 250A TO264
IXYS
0
现货
停产
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
430 nC @ 10 V
±20V
12700 pF @ 25 V
-
730W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-3P
IXTQ250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
250A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 25 V
-
550W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
显示
/ 11

250A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。