24A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 30A,10V2.7 毫欧 @ 25A,10V2.7 毫欧 @ 50A,10V2.8 毫欧 @ 50A,10V2.9 毫欧 @ 100A,10V2.9 毫欧 @ 50A,10V3 毫欧 @ 20A,10V3.5 毫欧 @ 20A,10V3.5 毫欧 @ 50A,10V3.7 毫欧 @ 22A,8V3.9 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 49µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 75µA3.3V @ 50µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.7 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V15.3 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V28 nC @ 4.5 V40.1 nC @ 10 V41 nC @ 5 V49 nC @ 10 V56 nC @ 10 V80 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V+16V,-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1700 pF @ 15 V1780 pF @ 12.5 V1980 pF @ 15 V2170 pF @ 15 V2798 pF @ 20 V3120 pF @ 25 V3375 pF @ 30 V4100 pF @ 30 V4650 pF @ 15 V5090 pF @ 15 V6800 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),83W(Tc)2.62W(Ta),65.2W(Tc)2.8W(Ta),78W(Tc)3W(Ta)3W(Ta),100W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.1W(Ta)3.2W(Ta)3.6W(Ta),114W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TO220-3PG-TO262-3POWERDI3333-8PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VQFN 裸露焊盘TO-220-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果
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/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
8,393
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.55723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
6,000
现货
5,694,000
工厂
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.81414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
50,554
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.90897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 49µA
85 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
19,789
现货
1 : ¥21.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.22326
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 30 V
-
3W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
IRFH8307
ISC026N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
21,428
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.53272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,900
现货
570,000
工厂
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.95167
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFG-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
5,950
现货
240,000
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.16509
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD17306Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Texas Instruments
4,386
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.36745
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
3.7 毫欧 @ 22A,8V
1.6V @ 250µA
15.3 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
2170 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16413Q5A
MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Texas Instruments
2,488
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.58396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 24A,10V
1.9V @ 250µA
11.7 nC @ 4.5 V
+16V,-12V
1780 pF @ 12.5 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17505Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Texas Instruments
1,843
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.49032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 20A,10V
1.8V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1980 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
BSC029N025SG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
8,868
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.9 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 80µA
41 nC @ 5 V
±20V
5090 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Infineon Technologies
339
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
400 : ¥11.61113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
80 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD17555Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Texas Instruments
0
现货
139,741
市场
查看交期
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.69058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 25A,10V
1.9V @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
±20V
4650 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
AUIRFSL6535 back
IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Infineon Technologies
26
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.9 毫欧 @ 100A,10V
2.8V @ 75µA
56 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 30 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFG-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
6,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥3.16510
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-7-01
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥3.69852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMTH43M8LFGQ-13-01
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.69852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40.1 nC @ 10 V
±20V
2798 pF @ 20 V
-
2.62W(Ta),65.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO-220-3
IPP029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥22.25000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.9 毫欧 @ 100A,10V
2.8V @ 75µA
56 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 30 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC029N025S G
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
24A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.9 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 80µA
41 nC @ 5 V
±20V
5090 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRFH5104TRPBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
80 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
显示
/ 20

24A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。