Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 9.19 CNY
Availability: InStock

DMTH43M8LFGQ-13
DigiKey 零件编号	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - 卷带（TR） 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMTH43M8LFGQ-13
描述	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
原厂标准交货期	8 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 24A（Ta），100A（Tc） 2.62W（Ta），65.2W（Tc） POWERDI3333-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	DMTH43M8LFGQ-13 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2798 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.62W（Ta），65.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	POWERDI3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	DMTH43

DMTH43M8LFGQ-13