20.3A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Nexperia USA Inc.NXP SemiconductorsVishay Siliconix
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V55 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.9 毫欧 @ 25A,10V75 毫欧 @ 10A,10V170 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.6 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V99 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
483 pF @ 25 V1380 pF @ 12 V2404 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
6.25W(Tc)62W(Tc)156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOD2PAKPowerPAK® 8 x 8TO-220AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
BUK7575-55A,127
NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO
NXP Semiconductors
7,329
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
RFP12N10L
PHP20N06T,127
NEXPERIA PHP20N06T - 20.3A, 55V,
NXP Semiconductors
8,865
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PHP20N06T,127
MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
Nexperia USA Inc.
865
现货
1 : ¥11.99000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
RF1S9640SM9A
BUK7675-55A,118
NEXPERIA BUK7675-55A - POWER FIE
NXP Semiconductors
75,900
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK7675-55A,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
800 : ¥4.87068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK 8 x 8
SIHH21N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥52.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥25.40431
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.3A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
99 nC @ 10 V
±30V
2404 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
D2PAK SOT404
PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
11 nC @ 10 V
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
BUK7575-55A,127
MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
20.3A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
483 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-SO
PHK18NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8SO
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20.3A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 25A,10V
2.15V @ 1mA
10.6 nC @ 4.5 V
±20V
1380 pF @ 12 V
-
6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 9

20.3A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。