2.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 61
制造商
Diodes IncorporatedEVVOInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™FETKY™HEXFET®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIIIU-MOSIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V100 V150 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.7V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
53 毫欧 @ 500mA,4.5V65 毫欧 @ 1A,10V65 毫欧 @ 2.2A,4.5V65 毫欧 @ 2A,4.5V65 毫欧 @ 4.4A,4.5V68 毫欧 @ 1.5A,4.5V70 毫欧 @ 2.2A,4.5V74 毫欧 @ 1.5A,4.5V75 毫欧 @ 2.2A,10V76 毫欧 @ 2A,4.5V85 毫欧 @ 3A,4.5V86 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1.2mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.3V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V5.85 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V7 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 4.5 V7.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±5V±8V±10V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
163 pF @ 50 V183 pF @ 10 V186 pF @ 25 V196 pF @ 30 V245 pF @ 10 V260 pF @ 15 V280 pF @ 10 V289 pF @ 10 V290 pF @ 10 V299 pF @ 20 V300 pF @ 10 V330 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
310mW(Ta),2.17W(Tc)360mW(Ta)395mW(Ta)420mW(Ta)460mW(Ta)480mW(Ta)500mW(Ta)540mW(Ta)600mW(Ta)615mW(Ta),7.5W(Tc)650mW(Ta)700mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)-25°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-CSP(0.8x0.8)4-DSBGA(1x1)4-Microfoot6-MicroFET(2x2)6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)6-WDFN(2x2)8-SO8-SOIC8-TSSOP-
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线4-UFBGA,DSBGA4-XFBGA,CSPBGA4-XFLGA,CSP6-PowerUFDFN6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)PowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
61结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 61
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4171PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
onsemi
1,897
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19494
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
2.5V,10V
75 毫欧 @ 2.2A,10V
1.4V @ 250µA
15.6 nC @ 10 V
±12V
720 pF @ 15 V
-
480mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
67,270
现货
582,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
1.5V,4.5V
90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
290 pF @ 10 V
-
650mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
23,489
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP
NTGS3443T1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
onsemi
18,690
现货
39,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41997
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
565 pF @ 5 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
150,149
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53127
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS86267P
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
onsemi
1,815
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50868
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.2A(Ta)
6V,10V
255 毫欧 @ 2.2A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±25V
1130 pF @ 75 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SO-8
SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,197
现货
1 : ¥32.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥15.72394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
2.2A(Ta)
6V,10V
174 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7431DP-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,711
现货
1 : ¥32.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥15.72394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
2.2A(Ta)
6V,10V
174 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-323
PMF63UNEX
MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323
Nexperia USA Inc.
370,125
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
1.8V,4.5V
65 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
5.85 nC @ 4.5 V
±8V
289 pF @ 10 V
-
395mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO-236AB
PMV88ENER
PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
5,215
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76179
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
117 毫欧 @ 2.2A,10V
2.7V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV88ENEAR
MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
7,161
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76431
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
117 毫欧 @ 2.2A,10V
2.7V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
8,010
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86373
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 1A,10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
AP7387Q-30Y-13
ZXMN3A01ZTA
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Diodes Incorporated
33,974
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.39386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.5A,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
186 pF @ 25 V
-
970mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
TO-236AB
PMV100EPAR
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,146
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
130毫欧 @ 2,2A,10V
3.2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
616 pF @ 30 V
-
710mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,836
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
16,043
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07863
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.2A(Ta)
1.5V,4.5V
53 毫欧 @ 500mA,4.5V
900mV @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-DSBGA(1x1)
4-UFBGA,DSBGA
30,770
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 100µA
-
±12V
245 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
CSDxxxxxF5x
CSD18541F5T
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
30,179
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
250 : ¥4.77744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 1A,10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
777 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
FDMA86108LZ
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
onsemi
6,000
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.99653
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
243 毫欧 @ 2.2A,10V
3V @ 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
163 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK 1212-8
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,189
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.43287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.2A(Ta)
6V,10V
135 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8,660
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66426
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 2.2A,10V
2.1V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
299 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2301BDS-T1-BE3
P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Siliconix
3,180
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
15,608
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
250 : ¥3.64944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.2A(Ta)
1.5V,4.5V
53 毫欧 @ 500mA,4.5V
900mV @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
-6V
512 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-DSBGA(1x1)
4-UFBGA,DSBGA
U-DFN2020-6 Type F
DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Diodes Incorporated
1,790
现货
6,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80793
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
225 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
384 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
6-TSOP
NTGS3441BT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
onsemi
0
现货
48,750
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
/ 61

2.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。