19A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 162
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIEEFG3R™G3R™, LoRing™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V400 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,6V2.5V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V12V15V15V,18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧 @ 9.5A,10V8 毫欧 @ 10A,10V9 毫欧 @ 12.4A,10V11.7 毫欧 @ 12A,4.5V35 毫欧 @ 12.5A,10V45 毫欧 @ 5A,10V46 毫欧 @ 11A,10V50 毫欧 @ 4.7A,10V60 毫欧 @ 10A,10V63.3 毫欧 @ 5A,10V64 毫欧 @ 13A,10V64 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 14µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.2V @ 250µA2.5V @ 11mA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA2.7V @ 5mA2.7V @ 5mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 6 V6.2 nC @ 10 V9.4 nC @ 5 V9.5 nC @ 6 V13 nC @ 10 V13 nC @ 18 V14 nC @ 5 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V17 nC @ 15 V17.8 nC @ 10 V18 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
-6V±10V±15V+20V,-10V±20V+22V,-10V+23V,-7V+25V,-10V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110 pF @ 400 V317 pF @ 25 V350 pF @ 25 V354 pF @ 25 V420 pF @ 25 V445 pF @ 25 V454 pF @ 800 V527 pF @ 800 V620 pF @ 25 V650 pF @ 25 V724 pF @ 800 V740 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
2.16W2.5W(Ta),6W(Tc)2.7W(Ta)2.7W(Ta),46W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.13W(Ta),139W(Tc)3.7W(Ta),150W(Tc)3.75W(Ta),75W(Tc)3.8W(Ta),68W(Tc)6W(Tc)25W(Tc)31W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-STD-750
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HVSON(5x6)8-SOIC22-QFN(5x7)D2PAKD3PAKDPAKDPAK-3I2PAKI2PAK(TO-262)IPAKISOPLUS220™ISOPLUS247™
封装/外壳
3-SMD,无引线4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘10-PowerSOP 模块22-PowerVFQFNISOPLUS220™SC-100,SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
162结果
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/ 162
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD19P06-60L-E3
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Vishay Siliconix
21,289
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.30100
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
19A(Tc)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 25 V
-
2.7W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
3,295
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
800 : ¥5.65296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-SOIC
SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
38,363
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.43286
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 12.4A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
7,103
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.43286
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 12.4A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,024
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF9540STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
1,262
现货
1 : ¥23.32000
剪切带(CT)
800 : ¥13.03584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
C2D10120D
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,393
现货
1 : ¥130.62000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
19A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
2.5V @ 500µA
32.6 nC @ 20 V
+25V,-10V
527 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Infineon Technologies
72,542
现货
1 : ¥5.42000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK SOT404
PHB21N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Nexperia USA Inc.
7,072
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
800 : ¥4.47681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
5V,10V
70 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 1mA
9.4 nC @ 5 V
±15V
650 pF @ 25 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-SOIC
SQ4050EY-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Vishay Siliconix
4,901
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.43630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2406 pF @ 20 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
onsemi
6,728
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.35307
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
4.5V,10V
74 毫欧 @ 19A,10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF9540PBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,629
现货
1 : ¥11.90000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
-
200 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220F
FQPF19N20C
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
onsemi
368
现货
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
19A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 9.5A,10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-3
PJMP210N65EC_T0_00601
650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Panjit International Inc.
700
现货
1 : ¥17.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
19A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 9.5A,10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1412 pF @ 400 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB-L
TO-220-3
PG-VSON-4
IPL60R185P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Infineon Technologies
5,130
现货
1 : ¥20.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.07955
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
10V
185 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
81W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-263AB
IRF9540SPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
981
现货
1 : ¥29.88000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
G3R160MT12J-TR
G3R160MT12J-TR
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
4,698
现货
1 : ¥59.60000
剪切带(CT)
800 : ¥44.74354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
19A(Tc)
15V,18V
180 毫欧 @ 10A,18V
2.7V @ 5mA
23 nC @ 15 V
+22V,-10V
724 pF @ 800 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
LFPAK33
BUK7M45-40EX
MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,290
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.33305
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
6.2 nC @ 10 V
±20V
317 pF @ 25 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y65-100EX
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,339
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.67322
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
17.8 nC @ 10 V
±20V
1023 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y65-100E,115
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,868
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.66408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
5V
63.3 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
14 nC @ 5 V
±10V
1523 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Infineon Technologies
4,168
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.87067
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 13A,10V
2V @ 14µA
13 nC @ 10 V
±20V
354 pF @ 25 V
-
47W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Vishay Siliconix
4,192
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.43630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2406 pF @ 20 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB
SIHP20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
889
现货
1 : ¥16.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
19A(Tc)
10V
184 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
1640 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
SIHB20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Vishay Siliconix
2,430
现货
1 : ¥18.23000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
19A(Tc)
10V
184 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
1640 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D-PAK (TO-252AA)
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Vishay Siliconix
2,882
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
10V
195 毫欧 @ 9,5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 162

19A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。