18A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
漏源电压(Vdss)
100 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V10V,12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
71 毫欧 @ 5A,10V96 毫欧 @ 9A,12V180 毫欧 @ 5.6A,10V265 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA4.7V @ 140µA5V @ 250µA6V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16.4 nC @ 10 V17 nC @ 10 V50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
743 pF @ 400 V773 pF @ 50 V2350 pF @ 100 V3290 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
65W(Tc)69W(Tc)81W(Tc)119W(Tc)127W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK33PG-HSOF-8-2PG-LHSOF-4-1PG-TO252-3-313TO-220F-3TO-220FM
封装/外壳
4-PowerLSFN8-PowerSFNSOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
40,142
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.64963
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tj)
10V
71 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
1,975
现货
1 : ¥17.57000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.91167
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tj)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4.7V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
743 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
R6010YNXC7G
R6038YNXC7G
600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥55.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tj)
10V,12V
96 毫欧 @ 9A,12V
6V @ 2.5mA
50 nC @ 10 V
±30V
2350 pF @ 100 V
-
81W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
4,950
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
18A(Tj)
10V
265 毫欧 @ 9A,10V
5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±30V
3290 pF @ 25 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
95
现货
1 : ¥16.67000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.51686
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tj)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4.7V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
743 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-LHSOF-4-1
4-PowerLSFN
0
现货
查看交期
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.50555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tj)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4.7V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
743 pF @ 400 V
-
127W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 6

18A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。