181A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.NXP Semiconductorsonsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 43A,10V3.4 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA3.6V @ 213µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V253 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3800 pF @ 40 V15800 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
148W(Tc)300W(Tc)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)D2PAK-7
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS2D5N08XT1G
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
onsemi
1,112
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.55029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
181A(Tc)
6V,10V
2.1 毫欧 @ 43A,10V
3.6V @ 213µA
53 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
148W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
BUK6C2R1-55C,118
BUK6C3R3-75C,118
NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
NXP Semiconductors
480
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
181A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.8V @ 1mA
253 nC @ 10 V
±16V
15800 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
D2PAK SOT427
BUK6C3R3-75C,118
MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
181A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.8V @ 1mA
253 nC @ 10 V
±16V
15800 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
显示
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181A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。