18.6A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SPD18P06PGBTMA1 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Infineon Technologies	7,323 现货	1 : ¥10.67000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.40062 卷带（TR）	SIPMOS®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18.6A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 13.2A，10V	4V @ 1mA	33 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SIR624DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥9.52000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.92749 卷带（TR）	ThunderFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	18.6A（Tc）	7.5V，10V	60 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	23 nC @ 7.5 V	±20V	1110 pF @ 100 V	-	52W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SPU18P06P MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3 Infineon Technologies	0 现货	1,500 : ¥4.33801 管件	SIPMOS®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18.6A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 13.2A，10V	4V @ 1mA	33 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	-	-	通孔	PG-TO251-3	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
SPD18P06P MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥10.59000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.39494 卷带（TR）	SIPMOS®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	18.6A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 13.2A，10V	4V @ 1mA	33 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63