16-PowerVDFN 单 FET，MOSFET

结果 : 4
系列
ICeGaN™ICeGaN™ H2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
-P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A12A（Tc）27A27A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
77 毫欧 @ 2.2A，12V182 毫欧 @ 900mA，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.2V @ 10mA4.2V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.9 nC @ 12 V2.3 nC @ 12 V4 nC @ 12 V6 nC @ 12 V
FET 功能
-电流检测
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CGD65A055SH2
CGD65A130SH2
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Cambridge GaN Devices
3,495
现货
1 : ¥50.16000
剪切带（CT）
3,500 : ¥26.64272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
12A
12V
182 毫欧 @ 900mA，12V
4.2V @ 4.2mA
1.9 nC @ 12 V
+20V，-1V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
16-DFN（8x8）
16-PowerVDFN
CGD65A130S2-T13
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Cambridge GaN Devices
3,342
现货
1 : ¥51.31000
剪切带（CT）
3,500 : ¥27.27208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET（氮化镓）
650 V
12A（Tc）
12V
182 毫欧 @ 900mA，12V
4.2V @ 4.2mA
2.3 nC @ 12 V
+20V，-1V
电流检测
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
16-DFN（8x8）
16-PowerVDFN
CGD65A055SH2
CGD65A055SH2
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Cambridge GaN Devices
3,494
现货
1 : ¥98.27000
剪切带（CT）
3,500 : ¥52.23650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
27A
12V
77 毫欧 @ 2.2A，12V
4.2V @ 10mA
4 nC @ 12 V
+20V，-1V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
16-DFN（8x8）
16-PowerVDFN
CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Cambridge GaN Devices
705
现货
1 : ¥123.64000
剪切带（CT）
1,000 : ¥78.30044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET（氮化镓）
650 V
27A（Tc）
12V
77 毫欧 @ 2.2A，12V
4.2V @ 10mA
6 nC @ 12 V
+20V，-1V
电流检测
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
16-DFN（8x8）
16-PowerVDFN
显示
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16-PowerVDFN 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。