15.6A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FQD19N10LTM MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK onsemi	2,575 现货	1 : ¥8.37000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.45327 卷带（TR）	QFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	15.6A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 7.8A，10V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±20V	870 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQI16N25CTU MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK Fairchild Semiconductor	3,589 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	15.6A（Tc）	10V	270 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FQB16N25CTM MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK Fairchild Semiconductor	845 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	15.6A（Tc）	10V	270 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQD19N10LTF MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	15.6A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 7.8A，10V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±20V	870 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQD19N10TF MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	15.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQD19N10TM MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	15.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQPF16N25C MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	15.6A（Tc）	10V	270 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQP16N25C MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	15.6A（Tc）	10V	270 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQD19N10TM_F080 MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	15.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQP16N25C MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3 Fairchild Semiconductor	0 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	15.6A（Tc）	10V	270 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	139W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3