14.7A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SQJA70EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	5,830 现货	1 : ¥6.57000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.48727 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	14.7A（Tc）	10V	95 毫欧 @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 nC @ 10 V	±20V	220 pF @ 25 V	-	27W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IPD60R400CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252 Infineon Technologies	16,661 现货	1 : ¥10.34000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.28742 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	14.7A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 3.8A，10V	3.5V @ 300µA	32 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 100 V	-	112W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-2	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SQJA70EP-T1_BE3 N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Vishay Siliconix	5,987 现货	1 : ¥9.36000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.26158 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	14.7A（Tc）	10V	95 毫欧 @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 nC @ 10 V	±20V	220 pF @ 25 V	-	27W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8