14.4A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FQP14N30 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	816 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	14.4A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 7.2A，10V	5V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1360 pF @ 25 V	-	147W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQB14N30TM MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK Fairchild Semiconductor	429 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	14.4A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 7.2A，10V	5V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1360 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），147W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQP14N15 MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	14.4A（Tc）	10V	210 毫欧 @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±25V	715 pF @ 25 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQP14N30 MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	14.4A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 7.2A，10V	5V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1360 pF @ 25 V	-	147W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQB14N30TM MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	14.4A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 7.2A，10V	5V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1360 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），147W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PHM12NQ20T,518 MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON NXP USA Inc.	0 现货	停产	TrenchMOS™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	14.4A（Tc）	5V，10V	130 毫欧 @ 12A，10V	4V @ 1mA	26 nC @ 10 V	±20V	1230 pF @ 25 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-HVSON（5x6）	8-VDFN 裸露焊盘
JANSR2N7380 MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257 Microsemi Corporation	0 现货	停产	-	托盘	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	14.4A（Tc）	12V	200 毫欧 @ 14.4A，12V	4V @ 1mA	40 nC @ 12 V	±20V	-	-	2W（Ta），75W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	军用	MIL-PRF-19500/614	通孔	TO-257	TO-257-3