13A(Ta),30A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-AlphaMOSOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 20A,10V10.6 毫欧 @ 30A,10V15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 5 V24 nC @ 10 V30 nC @ 10 V41.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1340 pF @ 30 V1370 pF @ 15 V1380 pF @ 15 V2090 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.2W(Ta),41W(Tc)2.3W(Ta),31W(Tc)2.8W(Ta),43W(Tc)5W(Ta),38W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)PG-TDSON-8-1POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6414A
MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
28,916
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04675
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
PowerDI3333-8
DMT6010LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
3,816
现货
30,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.63695
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT6010LFG-13
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,475
现货
6,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.40766
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
10.6 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 20µA
11 nC @ 5 V
±20V
1370 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-DFN
AON6266
MOSFET N-CH 60V 13A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1340 pF @ 30 V
-
5W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
8-DFN
AON6414AL
MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-VDFN 裸露焊盘
显示
/ 6

13A(Ta),30A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。