136A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ 5OptiMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 50A,10V4.3 毫欧 @ 50A,10V6 毫欧 @ 68A,10V17 毫欧 @ 61.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250µA4V @ 1mA4.5V @ 3.08mA4.6V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62 nC @ 10 V68 nC @ 10 V72 nC @ 10 V236 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4755 pF @ 50 V5300 pF @ 75 V6100 pF @ 30 V12338 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),170W(Tc)147W(Tc)250W(Tc)694W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-PPAK(5.1x5.86)8-SOP Advance(5x5.75)PG-HDSOP-22PG-HDSOP-22-1PG-TO263-7-3
封装/外壳
8-PowerTDFN22-PowerBSOP 模块TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
12,281
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.19252
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
136A(Tc)
6.5V,10V
2.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 30 V
-
800mW(Ta),170W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
D2PAK-7pin
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Infineon Technologies
1,564
现货
1 : ¥46.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.29227
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
136A(Tc)
8V,10V
6 毫欧 @ 68A,10V
4.6V @ 180µA
68 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 75 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
747
现货
1 : ¥144.49000
剪切带(CT)
750 : ¥99.75464
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
136A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 61.6A,10V
4.5V @ 3.08mA
236 nC @ 10 V
±20V
12338 pF @ 400 V
-
694W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
744
现货
1 : ¥149.58000
剪切带(CT)
750 : ¥103.28089
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
136A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 61.6A,10V
4.5V @ 3.08mA
236 nC @ 10 V
±20V
12338 pF @ 400 V
-
694W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
GSFP4R310
GSFP4R310
MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Good-Ark Semiconductor
14,934
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.83729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
136A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 50A,10V
3.9V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4755 pF @ 50 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PPAK(5.1x5.86)
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥167.56000
剪切带(CT)
750 : ¥103.28089
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
136A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 61.6A,10V
4.5V @ 3.08mA
236 nC @ 10 V
±20V
12338 pF @ 400 V
-
694W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22
22-PowerBSOP 模块
0
现货
查看交期
750 : ¥99.75464
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
136A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 61.6A,10V
4.5V @ 3.08mA
236 nC @ 10 V
±20V
12338 pF @ 400 V
-
694W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22
22-PowerBSOP 模块
显示
/ 7

136A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。