11A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 167
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.RenesasRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-AlphaSGT2™AlphaSGT™eGaN®HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 3PowerTrench®SDMOS™STripFET™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIXU-MOSV-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V14 V20 V28 V30 V35 V40 V60 V80 V100 V450 V500 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,20V5V5V,10V5V,20V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 29A,10V4.5 毫欧 @ 15A,10V4.5 毫欧 @ 26A,10V5.25 毫欧 @ 24A,10V5.5 毫欧 @ 17A,4.5V6 毫欧 @ 34A,10V7 毫欧 @ 16A,10V7.5 毫欧 @ 11.6A,10V8 毫欧 @ 16A,10V8 毫欧 @ 17A,10V8 毫欧 @ 18A,10V8.3 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA800mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.2 nC @ 5 V6.3 nC @ 5 V6.8 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 5 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V12 nC @ 3.3 V14 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-5V±8V±10V±12V+20V,-25V±20V20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
440 pF @ 15 V504 pF @ 15 V520 pF @ 50 V640 pF @ 10 V655 pF @ 8 V660 pF @ 10 V670 pF @ 25 V740 pF @ 25 V755 pF @ 30 V760 pF @ 15 V760 pF @ 25 V770 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
690mW(Ta)700mW(Ta),17W(Tc)750mW(Ta)840mW(Ta)900mW(Ta)930mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),15W(Tc)1W(Ta),35W(Tc)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.2W(Ta),31W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-MicroFET(2x2)8-DFN(5x6)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO8-SOIC8-SOP8-SOP(5.5x6.0)8-TSON Advance(3.1x3.1)8-WDFN(3.3x3.3)18-BGA(2.5x4)DFN2020B-6
封装/外壳
3-XDFN6-PowerUDFN6-PowerWDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
167结果
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/ 167
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type E
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Diodes Incorporated
96,668
现货
1,158,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
11A(Ta)
1.2V,4.5V
10 毫欧 @ 9.7A,4.5V
800mV @ 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2425 pF @ 10 V
-
690mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
8,796
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.50437
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
11.9 毫欧 @ 11A,10V
2.35V @ 25µA
9.3 nC @ 4.5 V
±20V
760 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
22,590
现货
100,000
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±25V
2470 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4672A
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
onsemi
79,483
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.52850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta)
4.5V
13 毫欧 @ 11A,4.5V
2V @ 250µA
49 nC @ 4.5 V
±12V
4766 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4675
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
onsemi
5,121
现货
22,500
工厂
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.65302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 4.5 V
±20V
4350 pF @ 20 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SO-8
SI7460DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,463
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.83336
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Ta)
4.5V,10V
9.6 毫欧 @ 18A,10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,982
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.83336
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Ta)
4.5V,10V
9.6 毫欧 @ 18A,10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
23,339
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 11A,10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6690A
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
7,986
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.46954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
12.5 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
16 nC @ 5 V
±20V
1205 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7424TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Infineon Technologies
24,625
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.48506
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
onsemi
7,305
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.90938
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
11A(Ta)
2.5V,4.5V
14 毫欧 @ 11A,4.5V
1.5V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±12V
4044 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
3,190
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.88530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Vishay Siliconix
3,430
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.13466
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.47W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
3,838
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.29497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Vishay Siliconix
3,960
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.83005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
11A(Ta)
2.5V,4.5V
5.5 毫欧 @ 17A,4.5V
600mV @ 250µA(最小)
30 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SO-8
SI7463DP-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,435
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.47681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 18.6A,10V
3V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
RF4P025ATTCR
RF4E110GNTR
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
6,452
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24173
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
504 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
HUML2020L8
8-PowerUDFN
8 SO
DMS3015SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Diodes Incorporated
41,483
现货
27,500
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.18435
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
11.9 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 250µA
30.6 nC @ 10 V
±12V
1276 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
1.55W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-DFN2020MD_View 2
PMPB08R5XNX
PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Nexperia USA Inc.
11,580
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27099
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
1.8V,4.5V
10 毫欧 @ 11A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±12V
1774 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP1009UFDFQ-7
MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Diodes Incorporated
7,533
现货
243,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
11A(Ta)
1.8V,4.5V
11 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
44 nC @ 8 V
±8V
1860 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA7630
MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
onsemi
8,124
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.93032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
7,500
现货
2,500 : ¥4.48209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 11A,10V
-
45 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,748
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.45724
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
6.3 nC @ 5 V
20V
860 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6,755
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.33980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 11A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
20V
3100 pF @ 8 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
R6004KNXC7G
R6011ENXC7G
600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Rohm Semiconductor
998
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Ta)
10V
390 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
53W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
显示
/ 167

11A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。