105A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

G3R20MT12N SIC MOSFET N-CH 105A SOT227 GeneSiC Semiconductor	217 现货	1 : ¥461.39000 管件	G3R™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	105A（Tc）	15V	24 毫欧 @ 60A，15V	2.69V @ 15mA	219 nC @ 15 V	+20V，-10V	5873 pF @ 800 V	-	365W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227	SOT-227-4，miniBLOC
STL105N4LF7AG MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT STMicroelectronics	10,825 现货	1 : ¥12.97000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.35476 卷带（TR）	STripFET™ F7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	105A（Tc）	4.5V，10V	4.5毫欧 @ 11.5A，10V	2.5V @ 250µA	23.3 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 25 V	-	94W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerFlat™（5x6）	8-PowerVDFN
IRFS4115TRL7PP MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Infineon Technologies	821 现货	1 : ¥32.92000 剪切带（CT） 800 : ¥19.89133 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Infineon Technologies	1,000 现货	1 : ¥49.09000 剪切带（CT） 1,000 : ¥25.39958 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	8.3 毫欧 @ 100A，10V	4.9V @ 134µA	45 nC @ 10 V	±20V	210 pF @ 75 V	-	179W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DI105N04PQ-AQ MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM Diotec Semiconductor	5,000 现货	1 : ¥7.64000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.00208 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	105A（Tc）	4.5V，10V	2.6 毫欧 @ 50A，10V	2.4V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	3033 pF @ 25 V	-	83W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-QFN（5x6）	8-PowerTDFN
RJ1P10BBHTL1 NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M Rohm Semiconductor	800 现货	1 : ¥50.57000 剪切带（CT） 800 : ¥31.86574 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	105A（Tc）	6V，10V	3 毫欧 @ 90A，10V	4V @ 1mA	135 nC @ 10 V	±20V	8600 pF @ 50 V	-	189W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263AB	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RJ1R10BBHTL1 NCH 150V 105A, TO-263AB, POWER M Rohm Semiconductor	790 现货	1 : ¥52.38000 剪切带（CT） 800 : ¥33.02250 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	6V，10V	8.2 毫欧 @ 50A，10V	4V @ 1mA	130 nC @ 10 V	±20V	7750 pF @ 75 V	-	181W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263AB	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RX3R10BBHC16 NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M Rohm Semiconductor	988 现货	1 : ¥64.53000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	6V，10V	8.8 毫欧 @ 50A，10V	4V @ 1mA	130 nC @ 10 V	±20V	7550 pF @ 75 V	-	181W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FQH90N10V2 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	370 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	105A（Tc）	10V	10 毫欧 @ 52.5A，10V	4V @ 250µA	191 nC @ 10 V	±30V	6150 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AD	TO-247-3
FQA90N10V2 MOSFET N-CH 100V 105A TO3P Fairchild Semiconductor	1,021 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	105A（Tc）	10V	10 毫欧 @ 52.5A，10V	4V @ 250µA	191 nC @ 10 V	±30V	6150 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3
IRFS4115TRL7PP IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier	23,788 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
AUIRFS4115-7TRL MOSFET_(120V,300V) Infineon Technologies	662 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
AUIRFS4115-7P AUIRFS4115 - 120V-300V N-CHANNEL Infineon Technologies	35,170 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
AUIRFS4115-7P AUIRFS4115 - 120V-300V N-CHANNEL International Rectifier	323 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SCT4013DRC15 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	0 现货查看交期	1 : ¥331.92000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	750 V	105A（Tc）	18V	16.9 毫欧 @ 58A，18V	4.8V @ 30.8mA	170 nC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pF @ 500 V	-	312W	175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
DMTH63M6LPSW-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	2,500 : ¥4.21859 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	105A（Tc）	4.5V，10V	4.1 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	44.8 nC @ 10 V	±20V	2479 pF @ 30 V	-	3.3W（Ta），84.7W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装，可润湿侧翼	PowerDI5060-8（UX 类）	8-PowerTDFN
DMTH63M6LPSWQ-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	2,500 : ¥4.75374 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	105A（Tc）	4.5V，10V	4.1 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	44.8 nC @ 10 V	±20V	2479 pF @ 30 V	-	3.3W（Ta），84.7W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装，可润湿侧翼	PowerDI5060-8（UX 类）	8-PowerTDFN
STL105NS3LLH7 MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT STMicroelectronics	0 现货	1 : ¥13.46000 剪切带（CT） 3,000 : ¥6.06551 卷带（TR）	DeepGATE™, STripFET™ VII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	105A（Tc）	4.5V，10V	3.9 毫欧 @ 13.5A，10V	1.2V @ 1mA（最小）	13.7 nC @ 4.5 V	±20V	2110 pF @ 25 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（5x6）	8-PowerVDFN
IRL8113S MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	250 : ¥16.71812 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	105A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±20V	2840 pF @ 15 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL8113 MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥18.63140 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	105A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±20V	2840 pF @ 15 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IXFR120N20 MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247 IXYS	0 现货	30 : ¥126.58433 管件	HiPerFET™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	105A（Tc）	10V	17 毫欧 @ 60A，10V	4V @ 8mA	360 nC @ 10 V	±20V	9100 pF @ 25 V	-	417W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	ISOPLUS247™	TO-247-3
IRL8113PBF MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	105A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 21A，10V	2.25V @ 250µA	35 nC @ 4.5 V	±20V	2840 pF @ 15 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFPS3815PBF MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	15 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	390 nC @ 10 V	±30V	6810 pF @ 25 V	-	441W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	SUPER-247™（TO-274AA）	TO-274AA
FQA90N10V2 MOSFET N-CH 100V 105A TO3P onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	105A（Tc）	10V	10 毫欧 @ 52.5A，10V	4V @ 250µA	191 nC @ 10 V	±30V	6150 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3
IRFS4115-7PPBF MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	105A（Tc）	10V	11.8 毫欧 @ 63A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5320 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK（7-Lead）	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB