FQA90N10V2 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Renesas Electronics Corporation
现货: 4,754
单价: ¥62.23000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 5,959
单价: ¥33.41000
规格书

FQA90N10V2

DigiKey 零件编号
FQA90N10V2-ND
制造商
制造商产品编号
FQA90N10V2
描述
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 100 V 105A(Tc) 330W(Tc) TO-3P
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FQA90N10V2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 52.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
191 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
330W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
基本产品编号