双极晶体管阵列

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
晶体管类型
2 NPN(双)2 NPN(双)配对2 PNP(双)配对
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
20mA25mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
36V40V45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
100mV @ 100µA,1mA200mV @ 100µA,1mA800mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
200pA200pA(ICBO)500pA400nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 1mA,36V500 @ 1mA,40V-
功率 - 最大值
500mW-
频率 - 跃迁
190MHz200MHz450MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)20-CLCCTO-78-6 金属罐
供应商器件封装
8-SOIC20-CLCC(9x9)TO-78-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SOIC
SSM2212RZ-R7
TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
640
现货
1 : ¥72.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.41805
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2 NPN(双)配对
20mA
40V
200mV @ 100µA,1mA
500pA
-
-
200MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
LOW NOISE, MATCHED DUAL MONOLITH
MAT02BH/883C
LOW NOISE, MATCHED DUAL MONOLITH
Analog Devices Inc.
329
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
2 NPN(双)
20mA
40V
100mV @ 100µA,1mA
200pA
500 @ 1mA,40V
500mW
-
-55°C ~ 125°C
通孔
TO-78-6 金属罐
TO-78-6
LOW NOISE, MATCHED DUAL PNP TRAN
MAT03ARC/883C
LOW NOISE, MATCHED DUAL PNP TRAN
Analog Devices Inc.
232
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
2 PNP(双)配对
20mA
36V
100mV @ 100µA,1mA
200pA(ICBO)
100 @ 1mA,36V
500mW
190MHz
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
20-CLCC
20-CLCC(9x9)
TO-78-6
MAT01GHZ
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
现货
在售
-
散装
在售
2 NPN(双)配对
25mA
45V
800mV @ 1mA,10mA
400nA
-
500mW
450MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-78-6 金属罐
TO-78-6
LOW NOISE, MATCHED DUAL MONOLITH
MAT02BH
LOW NOISE, MATCHED DUAL MONOLITH
Analog Devices Inc.
0
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
2 NPN(双)
20mA
40V
100mV @ 100µA,1mA
200pA
500 @ 1mA,40V
500mW
-
-55°C ~ 125°C
通孔
TO-78-6 金属罐
TO-78-6
显示
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双极晶体管阵列


双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。