存储器

结果 : 4
制造商
Alliance Memory, Inc.ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR3SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
存储容量
128Mb256Mb1Gb
存储器组织
16M x 832M x 864M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz400 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns8ms，2.8ms
电压 - 供电
1.14V ~ 1.95V1.425V ~ 1.575V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 85°C（TC）0°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）96-TFBGA134-TFBGA
供应商器件封装
8-SO16-SO96-FBGA（9x13）134-TFBGA（10x11.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
Micron Technology Inc.
3,406
现货
1 : ¥29.72000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SO
16-SO
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO
Micron Technology Inc.
6,385
现货
1 : ¥46.71000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SO
96-FBGA
AS4C64M16D3B-12BCN
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
Alliance Memory, Inc.
177
现货
1 : ¥53.94000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb
64M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（9x13）
614
现货
1 : ¥83.65000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
1Gb
64M x 16
并联
400 MHz
15ns
-
1.14V ~ 1.95V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装型
134-TFBGA
134-TFBGA（10x11.5）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。