存储器

结果 : 5
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMacronixMicron Technology Inc.
系列
-MXSMIO™
包装
托盘管件
产品状态
最后售卖在售
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR3SDRAM - DDR3L闪存 - NAND
存储容量
128Mb1Gb2Gb512Gb
存储器组织
16M x 8128M x 16128M x 864G x 8
存储器接口
eMMCSPI - 四 I/OSPI - 四 I/O，QPI并联
时钟频率
133 MHz200 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns40µs，1.2ms8ms，2.8ms-
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V1.425V ~ 1.575V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）96-TFBGA153-VFBGA
供应商器件封装
16-SO16-SOP96-TWBGA（9x13）153-VFBGA（11.5x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
995
现货
1 : ¥51.39000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
16-SO
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
Micron Technology Inc.
1,323
现货
1 : ¥130.04000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
128M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SO
153-VFBGA
MTFC64GAZAQHD-IT
IC FLASH 512GBIT EMMC 153VFBGA
Micron Technology Inc.
1,712
现货
1 : ¥292.35000
托盘
-
托盘
最后售卖
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
512Gb
64G x 8
eMMC
200 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
153-VFBGA
153-VFBGA（11.5x13）
16-SOIC Pkg
MX25L12833FMI-10G
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP
Macronix
19,955
现货
1 : ¥12.56000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O，QPI
133 MHz
40µs，1.2ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOP
50
现货
1 : ¥65.43000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。