存储器

结果 : 3
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMacronix
系列
-MXSMIO™
包装
卷带（TR）托盘管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NAND（SLC）FLASH - NOR（SLC）SDRAM - DDR3L
存储容量
32Mb1Gb4Gb
存储器组织
8M x 4，16M x 2，32M x 1128M x 8256M x 16
存储器接口
SPISPI - 四 I/O并联
时钟频率
80 MHz104 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns100µs，3.6ms-
访问时间
6 ns8 ns20 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V1.65V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-UDFN 裸露焊盘8-WDFN 裸露焊盘96-TFBGA
供应商器件封装
8-USON（4x3）8-WSON（8x6）96-TWBGA（9x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
398
现货
1 : ¥90.06000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
256M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
0
现货
查看交期
5,000 : ¥7.12875
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
-
非易失
闪存
FLASH - NOR（SLC）
32Mb
8M x 4，16M x 2，32M x 1
SPI - 四 I/O
80 MHz
100µs，3.6ms
6 ns
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-UDFN 裸露焊盘
8-USON（4x3）
0
现货
查看交期
480 : ¥24.99594
管件
-
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
1Gb
128M x 8
SPI
104 MHz
-
8 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（8x6）
显示
/ 3

存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。