存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution Inc
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMNVSRAM
技术
NVSRAM(非易失性 SRAM)SDRAM
存储容量
4Mb64Mbit
存储器组织
512K x 84M x 16
写周期时间 - 字,页
45ns-
访问时间
5.4 ns45 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
封装/外壳
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
44-TSOP II54-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
44-TSOP II
CY14B104LA-ZS45XI
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Infineon Technologies
647
现货
1 : ¥258.12000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM(非易失性 SRAM)
4Mb
512K x 8
并联
-
45ns
45 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
0
现货
查看交期
540 : ¥13.61581
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
64Mbit
4M x 16
并联
166 MHz
-
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。