存储器

结果 : 4
制造商
Alliance Memory, Inc.MacronixMicrochip TechnologyWinbond Electronics
系列
-MXSMIO™SpiFlash®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NAND（SLC）FLASH - NORSDRAM
存储容量
64Kb16Mb256Mb512Mb
存储器组织
8K x 82M x 816M x 1664M x 8
存储器接口
I2CSPI - 四 I/O并联
时钟频率
400 kHz80 MHz166 MHz
写周期时间 - 字，页
12ns100µs，4ms700µs5ms
访问时间
5 ns900 ns
电压 - 供电
1.65V ~ 3.6V2.5V ~ 5.5V2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 125°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳
8-UFDFN 裸露焊盘8-WDFN 裸露焊盘8-WFDFN 裸露焊盘54-TFBGA
供应商器件封装
8-TDFN（2x3）8-USON（2x3）8-WSON（8x6）54-TFBGA（8x8）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-USON
MX25R1635FZUIH0
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON
Macronix
12,146
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
12,000 : ¥4.88122
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb
2M x 8
SPI - 四 I/O
80 MHz
100µs，4ms
-
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-UFDFN 裸露焊盘
8-USON（2x3）
54-TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Alliance Memory, Inc.
9,095
现货
1 : ¥48.76000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
256Mb
16M x 16
并联
166 MHz
12ns
5 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
54-TFBGA
54-TFBGA（8x8）
8-TDFN
24LC64FT-E/MNY
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN
Microchip Technology
2,928
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,300 : ¥4.98892
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
64Kb
8K x 8
I2C
400 kHz
5ms
900 ns
2.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装型
8-WFDFN 裸露焊盘
8-TDFN（2x3）
8-WSON E
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Winbond Electronics
0
现货
查看交期
1 : ¥21.18000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
512Mb
64M x 8
SPI - 四 I/O
166 MHz
700µs
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（8x6）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。