存储器

结果 : 2
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.
存储器格式
DRAMSRAM
技术
SDRAM - DDR3LSRAM - 异步
存储容量
4Mb2Gb
存储器组织
512K x 8128M x 16
写周期时间 - 字,页
45ns-
访问时间
13.75 ns45 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.2V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-40°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)96-TFBGA
供应商器件封装
32-TSOP II96-FBGA(8x14)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
3,366
现货
1 : ¥82.92000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
-
13.75 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA(8x14)
748
现货
1 : ¥19.46000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb
512K x 8
并联
-
45ns
45 ns
2.2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)
32-TSOP II
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。