存储器

结果 : 2
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMacronix
系列
-MX25xxx35/36 - MXSMIO™
包装
卷带(TR)托盘
技术
FLASH - NOR(SLC)闪存
存储容量
64Mbit256Mb
存储器组织
16M x 4,32M x 2,64M x 132M x 8
存储器接口
SPI - 八 I/OSPI - 四 I/O
时钟频率
80 MHz133 MHz
写周期时间 - 字,页
1.8ms-
电压 - 供电
1.65V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
8-UDFN 裸露焊盘24-TBGA
供应商器件封装
8-USON(4x3)24-TFBGA(6x8)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
81
现货
1 : ¥43.51000
托盘
-
托盘
在售
非易失
闪存
闪存
256Mb
32M x 8
SPI - 八 I/O
133 MHz
1.8ms
6 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C(TA)
表面贴装型
24-TBGA
24-TFBGA(6x8)
0
现货
查看交期
5,000 : ¥9.82265
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
非易失
闪存
FLASH - NOR(SLC)
64Mbit
16M x 4,32M x 2,64M x 1
SPI - 四 I/O
80 MHz
-
6 ns
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-UDFN 裸露焊盘
8-USON(4x3)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。