存储器

结果 : 3
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR2SDRAM - DDR3
存储容量
512Mb1Gb2Gb
存储器组织
64M x 1664M x 8128M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz400 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns8ms，2.8ms
访问时间
400 ps20 ns
电压 - 供电
1.425V ~ 1.575V1.7V ~ 1.9V1.7V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）0°C ~ 85°C（TC）
封装/外壳
24-TBGA84-TFBGA96-TFBGA
供应商器件封装
24-T-PBGA（6x8）84-FBGA（9x12.5）96-TWBGA（9x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
818
现货
1 : ¥78.32000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
24-TBGA
24-T-PBGA（6x8）
84-FBGA
MT47H128M16RT-25E:C
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Micron Technology Inc.
2,630
现货
1 : ¥121.26000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
2Gb
128M x 16
并联
400 MHz
15ns
400 ps
1.7V ~ 1.9V
0°C ~ 85°C（TC）
表面贴装型
84-TFBGA
84-FBGA（9x12.5）
30
现货
1 : ¥37.68000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb
64M x 16
并联
933 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。