存储器

结果 : 4
制造商
Microchip TechnologyRenesas Electronics CorporationWinbond Electronics
系列
-24CWSpiFlash®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORHyperRAM闪存
存储容量
32Kb4Mb128Mb512Mb
存储器组织
264 字节 x 2048 页4K x 816M x 864M x 8
存储器接口
HyperBusI2CSPISPI - 四 I/O，QPI，DTR
时钟频率
1 MHz85 MHz133 MHz200 MHz
写周期时间 - 字，页
35ns8µs，3ms3ms5ms
访问时间
35 ns450 ns
电压 - 供电
1.6V ~ 5.5V1.65V ~ 3.6V1.7V ~ 2V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 85°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）8-UDFN 裸露焊盘24-TBGASC-74A，SOT-753
供应商器件封装
8-SOIC8-UDFN（5x6）24-TFBGA，DDP（6x8）SOT-23-5
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
33,158
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
6,000 : ¥7.38882
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
闪存
闪存
4Mb
264 字节 x 2048 页
SPI
85 MHz
8µs，3ms
-
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
8-SOIC
W25Q128JVSIM TR
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Winbond Electronics
90,145
现货
1 : ¥14.61000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.41894
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
133 MHz
3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
SOT 23-5
24CW320T-I/OT
IC EEPROM 32KBIT I2C SOT23-5
Microchip Technology
9,986
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.12878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
32Kb
4K x 8
I2C
1 MHz
5ms
450 ns
1.6V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
SC-74A，SOT-753
SOT-23-5
24-TFBGA
W959D8NFYA5I
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA
Winbond Electronics
0
现货
查看交期
480 : ¥31.21110
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
HyperRAM
512Mb
64M x 8
HyperBus
200 MHz
35ns
35 ns
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
24-TBGA
24-TFBGA，DDP（6x8）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。