存储器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution IncMacronix
系列
-AL-JMX29GL
包装
托盘管件
产品状态
不适用于新设计在售
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMSRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDRSRAM - 异步
存储容量
4Mb16Mb512Mb
存储器组织
512K x 82M x 8，1M x 1632M x 1664M x 8
写周期时间 - 字，页
10ns15ns70ns100ns
访问时间
700 ps10 ns70 ns100 ns
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V2.7V ~ 3.6V4.5V ~ 5.5V
封装/外壳
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
供应商器件封装
36-SOJ48-TSOP56-TSOP66-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
48-TSOP l
S29AL016J70TFI020
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP
Infineon Technologies
2,152
现货
1 : ¥22.91000
托盘
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
16Mb
2M x 8，1M x 16
并联
-
70ns
70 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP
36-SOJ Pkg
CY7C1049G-10VXI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Infineon Technologies
2,716
现货
1 : ¥41.54000
管件
-
管件
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb
512K x 8
并联
-
10ns
10 ns
4.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
36-SOJ
0
现货
查看交期
108 : ¥44.38389
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb
32M x 16
并联
167 MHz
15ns
700 ps
2.3V ~ 2.7V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
66-TSOP II
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
MX29GL512GHT2I-10G
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Macronix
0
现货
960 : ¥57.13699
托盘
托盘
不适用于新设计
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8
并联
-
100ns
100 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。