存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.Winbond Electronics
系列
-MoBL®SpiFlash®
包装
托盘散装管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMSRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR2SRAM - 异步
存储容量
8Mb32Mb1Gb
存储器组织
1M x 84M x 864M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz400 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns45ns3ms
访问时间
400 ps45 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V2.2V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）84-TFBGA
供应商器件封装
8-SOIC44-TSOP II84-FBGA（8x12.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
W25Q32JVSSIQ
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Winbond Electronics
100,609
现货
1 : ¥6.24000
管件
管件
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
32Mb
4M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
84-FBGA
MT47H64M16NF-25E IT:M
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
Micron Technology Inc.
1,414
现货
1 : ¥40.15000
散装
-
散装
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
1Gb
64M x 16
并联
400 MHz
15ns
400 ps
1.7V ~ 1.9V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
84-TFBGA
84-FBGA（8x12.5）
44-TSOP II
CY62158EV30LL-45ZSXI
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
1,413
现货
1 : ¥72.49000
托盘
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
8Mb
1M x 8
并联
-
45ns
45 ns
2.2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。