单 FET,MOSFET

结果 : 186
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
漏源电压(Vdss)
600 V650 V700 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Tc)1.9A(Tc)2A(Tc)2.5A(Tc)3A(Tc)4A(Tc)4.5A(Tc)6A(Tc)6.5A(Tc)7A(Tc)8A(Tc)8.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24毫欧 @ 42.4A,10V24毫欧 @ 42A,10V37 毫欧 @ 29.5A,10V45 毫欧 @ 22.5A,10V60 毫欧 @ 15.9A,10V65 毫欧 @ 15.9A,10V80 毫欧 @ 11.8A,10V85 毫欧 @ 11.8A,10V99 毫欧 @ 10.5A,10V105 毫欧 @ 10.5A,10V120 毫欧 @ 8.2A,10V125 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 110µA3.5V @ 120µA3.5V @ 140µA3.5V @ 150µA3.5V @ 170µA3.5V @ 20µA3.5V @ 220µA3.5V @ 280µA3.5V @ 30µA3.5V @ 360µA3.5V @ 40µA3.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 10 V3.8 nC @ 400 V4 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V4.7 nC @ 400 V4.8 nC @ 10 V4.8 nC @ 400 V5.8 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V6.8 nC @ 400 V7.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
80 pF @ 500 V120 pF @ 500 V130 pF @ 400 V150 pF @ 500 V158 pF @ 400 V174 pF @ 400 V175 pF @ 500 V196 pF @ 400 V211 pF @ 400 V250 pF @ 500 V300 pF @ 500 V306 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
6W(Tc)6.1W(Tc)6.2W(Tc)6.3W(Tc)6.4W(Tc)6.5W(Tc)6.7W(Tc)6.8W(Tc)6.9W(Tc)7W(Tc)7.1W(Tc)7.2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT223PG-TDSON-8PG-TO220 整包PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-3-31PG-TO220-3-312PG-TO220-3-FPPG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-41PG-TO247-4PG-TO247-4-3PG-TO251-3
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerTDFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
186结果
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/ 186
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
106,011
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.96886
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
7,844
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.31711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.9A(Tc)
10V
3.3 欧姆 @ 590mA,10V
3.5V @ 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
17,929
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.7A,10V
4V @ 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
30W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
12,718
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.69758
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
2,815
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.85118
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
2A(Tc)
10V
3.7 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Infineon Technologies
10,770
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.98977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
4A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
10 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 400 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
4,961
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22404
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Infineon Technologies
10,560
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26480
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
6A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
3.5V @ 140µA
15 nC @ 10 V
±20V
478 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
4,841
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.52058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.2A,10V
3.5V @ 110µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 500 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
10,146
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.23704
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
35,622
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.57659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,832
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.28049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
4,791
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.29102
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
877
现货
1 : ¥47.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
442
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
2,816
现货
1 : ¥51.15000
剪切带(CT)
1,000 : ¥26.43106
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
2,344
现货
1 : ¥63.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
61A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Infineon Technologies
2,052
现货
1 : ¥82.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
76A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 29.5A,10V
4V @ 1.48mA
121 nC @ 10 V
±20V
5243 pF @ 400 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
213
现货
1 : ¥104.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
101A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4V @ 2.03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-SOT223
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Infineon Technologies
13,809
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.93237
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6.5A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 1.4A,10V
3.5V @ 70µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
306 pF @ 400 V
-
6.7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
17,371
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.61076
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Infineon Technologies
15,436
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.81847
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
23W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
13,723
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.75583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
PG-SOT223
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Infineon Technologies
9,807
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12215
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 20µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 500 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Infineon Technologies
7,285
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.16351
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 1.1A,10V
3.5V @ 60µA
6.8 nC @ 10 V
±16V
211 pF @ 400 V
-
30.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。