单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-STripFET™ F6TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)10A(Tc)25A(Tc)50A(Tc)64A(Tc)68A(Tc)260A(Tc)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 25A,10V1.5 毫欧 @ 25A,10V7 毫欧 @ 15A,10V14毫欧 @ 10,8A,10V14.8 毫欧 @ 10A,10V21 毫欧 @ 5A,4.5V25 毫欧 @ 10.5A,10V61毫欧 @ 4,7A,10V160 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.4 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V41 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V64 nC @ 10 V93 nC @ 10 V112 nC @ 10 V137 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V+20V,-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
340 pF @ 48 V1060 pF @ 30 V1630 pF @ 25 V2300 pF @ 20 V2592 pF @ 25 V3950 pF @ 20 V5350 pF @ 25 V6712 pF @ 25 V8420 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
5W(Tc)35W(Tc)64W(Tc)66W(Tc)95W(Tc)110W(Tc)136W(Tc)242W(Tc)294W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOPDPAKLFPAK56,Power-SO8LFPAK88(SOT1235)TO-252AA
封装/外壳
SC-100,SOT-669SOT-1235SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,296
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SQ3495EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,339
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tc)
2.5V,10V
21 毫欧 @ 5A,4.5V
1.4V @ 250µA
41 nC @ 4.5 V
±12V
3950 pF @ 20 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y61-60PX
MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,434
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.16023
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Tc)
4.5V,10V
61毫欧 @ 4,7A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1060 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
MFG_DPAK(TO252-3)
STD15P6F6AG
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
10,699
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.07850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
480
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.17749
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
64A(Tc)
4.5V,10V
14毫欧 @ 10,8A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,745
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.58159
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
68A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S1R2-40HJ
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
4,578
现货
1 : ¥28.24000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.74523
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
10V
1.2 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
112 nC @ 10 V
+20V,-10V
8420 pF @ 25 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y22-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L
Nexperia USA Inc.
2,400
现货
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.89960
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
14.8 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
48 nC @ 10 V
±10V
2592 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S1R5-40HJ
MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
2,016
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.12500
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
260A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
93 nC @ 10 V
+20V,-10V
6712 pF @ 25 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。