单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）24A（Tc）33A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 9.3A，10V145 毫欧 @ 6A，10V190 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 300µA4.5V @ 320µA4.5V @ 470µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 10 V28 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1199 pF @ 400 V1291 pF @ 400 V1747 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
77W（Tc）160W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-10-1PG-TO263-7-11
封装/外壳
10-PowerSOP 模块TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
600VCoolMOS
IPDD60R145CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Infineon Technologies
3,390
现货
1 : ¥25.45000
剪切带（CT）
1,700 : ¥13.14864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
24A（Tc）
145 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
Infineon Technologies
0
现货
2,870
市场
查看交期
1 : ¥27.91000
剪切带（CT）
1,000 : ¥13.33651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
14A（Tc）
190 毫欧 @ 6.4A，10V
4.5V @ 320µA
7 nC @ 10 V
±20V
1291 pF @ 400 V
-
77W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-11
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
600VCoolMOS
IPDD60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥39.16000
剪切带（CT）
1,700 : ¥18.29181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
33A（Tc）
90 毫欧 @ 9.3A，10V
4.5V @ 470µA
42 nC @ 10 V
±20V
1747 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。