Name: IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R190CFD7AATMA1TR-ND
Price: 27.91 CNY
Availability: InStock

IPBE65R190CFD7AATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPBE65R190CFD7AATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPBE65R190CFD7AATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPBE65R190CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPBE65R190CFD7AATMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 14A（Tc） 77W（Tc） PG-TO263-7-11
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1291 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	77W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-7-11
封装/外壳	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
基本产品编号	IPBE65

IPBE65R190CFD7AATMA1

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