单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor CorpNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
385 毫欧 @ 1.5A，10V460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.79 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V195 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）770mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223SOT-523
封装/外壳
SOT-523TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
2,936
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.22663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.5A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
195 pF @ 50 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
14,290
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.83382
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
450mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.79 nC @ 4.5 V
8V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。