单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）400mA（Ta）900mA（Ta）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.07 毫欧 @ 30A，10V3.95 毫欧 @ 25A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.4 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1.5V @ 250µA1.7V @ 250µA2.3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 10 V1.5 nC @ 4.5 V47 nC @ 4.5 V246 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 10 V51 pF @ 15 V109 pF @ 10 V6180 pF @ 15 V16370 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）3.2W（Ta），191W（Tc）405W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）D2PAKSOT-23-3UMT3FX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFNSC-85TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,845
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
39,572
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
15,253
现货
1 : ¥37.68000
剪切带（CT）
800 : ¥22.76794
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.95 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
246 nC @ 10 V
±20V
16370 pF @ 50 V
-
405W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-Power TDFN
CSD16556Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Texas Instruments
7,083
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.27118
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1.07 毫欧 @ 30A，10V
1.7V @ 250µA
47 nC @ 4.5 V
±20V
6180 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），191W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
X2-DFN1006-3
DMP32D4SFB-7B
MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
Diodes Incorporated
10,032
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.39202
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
2.3V @ 250µA
1.3 nC @ 10 V
±20V
51 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。