单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）850mA（Ta）4A（Ta）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V42.7 毫欧 @ 3A，4.5V400 毫欧 @ 500mA，4.5V450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）1V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V83 pF @ 24 V840 pF @ 10 V1800 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）540mW（Ta）1W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-23-3TO-236ABUF6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,662
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
207,048
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
195,844
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.61688
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-236AB
BSH103,235
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
43,543
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.72577
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6,000
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
42.7 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。