单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）1.6A（Tc）4.5A（Tc）5.4A（Ta）5.8A（Ta）7.7A（Ta）9.5A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 5.8A，10V21 毫欧 @ 9.5A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V42 毫欧 @ 4.9A，10V50 毫欧 @ 3.9A，10V132 毫欧 @ 1.4A，10V290 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
105 pF @ 15 V350 pF @ 15 V355 pF @ 25 V386 pF @ 15 V650 pF @ 15 V749 pF @ 15 V1570 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），500mW（Tc）720mW（Ta）1.2W（Ta）1.25W（Ta），1.66W（Tc）1.9W（Ta），13W（Tc）3.1W（Ta），11W（Tc）3.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）DFN2020M-6SC-70-3SC-70-6SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TSOT-26
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
2,136
现货
4,308,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,235
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
8-DFN
AONR32320C
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,976
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.89553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.5A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 9.5A，10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），11W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SC-70-6
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
8,953
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
290 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±20V
355 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-23-3
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
58,422
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），1.66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSOT-26
DMP3045LVT-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
2,799
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99850
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.4A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.9A，10V
2.1V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
749 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-DFN2020MD_View 2
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
151
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。