单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
CoolMOS™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 50A，10V125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 120µA3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V104 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 100 V8125 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），188W（Tc）208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8 FL
BSC014N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Infineon Technologies
9,400
现货
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥13.63340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
1.45 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
TO-220-3
IPP60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
Infineon Technologies
4,559
现货
1 : ¥35.06000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 16A，10V
3.5V @ 1.1mA
70 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。