单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）210mA（Ta）4.3A（Ta）7.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 7.8A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V50 毫欧 @ 6A，10V4 欧姆 @ 200mA，4.5V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V15 nC @ 5 V27 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V30 pF @ 30 V642 pF @ 25 V830 pF @ 10 V1480 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）302mW（Ta）1.3W（Ta）1.38W（Ta）2.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-323TO-236AB
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
94,830
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
125,781
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
22,755
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36452
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
210mA（Ta）
4.5V
4 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.3V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±10V
30 pF @ 30 V
-
302mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
46,207
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
6-WDFN Exposed Pad
FDMA510PZ
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
onsemi
8,442
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.54044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.8A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 7.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±8V
1480 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。