单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ PFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
50 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA200mA(Ta)4.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 欧姆 @ 1A,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14 pF @ 25 V14 pF @ 50 V50 pF @ 10 V230 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)350mW(Ta)26W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-23SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,486
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
19,098
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,554
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
428
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.23103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.7A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1A,10V
4.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
-
26W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。