单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）7A（Ta），16A（Tc）11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V6V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 7A，10V160 毫欧 @ 1.4A，2.5V190 毫欧 @ 3.9A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 3.7µA2.5V @ 12.2mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 2.5 V2.8 nC @ 6 V16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+7V，-1.4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
96 pF @ 400 V180 pF @ 10 V923 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.5W（Ta），73W（Tc）125W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）DFN8080-8PG-SOT323
封装/外壳
8-PowerTDFN8-VDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
123,598
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.8V，2.5V
160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
8-PQFN
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
onsemi
11,600
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.92184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），16A（Tc）
6V，10V
24 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
923 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
GAN080-650EBEZ
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,234
现货
1 : ¥37.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.69897
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
11.5A（Tc）
6V
190 毫欧 @ 3.9A，6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V，-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。