单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedEPCNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-eGaN®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）1.3A（Ta）4A（Ta）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14毫欧 @ 10，8A，10V160 毫欧 @ 500mA，5V175 毫欧 @ 300mA，4.5V680 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2V @ 10µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.48 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
47 pF @ 30 V55 pF @ 50 V64.3 pF @ 25 V2300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）110W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8SOT-23X2-DFN1006-3模具
封装/外壳
3-XFDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
4,212
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
4A（Ta）
5V
160 毫欧 @ 500mA，5V
2.5V @ 250µA
0.48 nC @ 5 V
+6V，-4V
55 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
X2-DFN1006-3
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Diodes Incorporated
389,954
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40433
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.5V，4.5V
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SBA120CS-AUR1A1XXX
BSS138BKAHZGT116
NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Rohm Semiconductor
6,372
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
2.5V，10V
680 毫欧 @ 400mA，10V
2V @ 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
480
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.17764
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64A（Tc）
4.5V，10V
14毫欧 @ 10，8A，10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。